Une mise à niveau matérielle d'une grande rigueur industrielle
Chaque puce de silicium intégrée à ce module de mémoire vive subit des contrôles rigoureux pour garantir une stabilité opérationnelle totale. Ce composant est destiné aux utilisateurs qui ne tolèrent aucun compromis sur la fiabilité de leurs données.
Une architecture interne optimisée pour la longévité
La dissipation thermique passive de ce module est étudiée pour s'intégrer dans les environnements confinés des ordinateurs portables, assurant un maintien des performances de la mémoire vive même sous une charge de travail prolongée.
Détails de l'ingénierie interne
- Sélection des puces : Intégration de composants électroniques à haute tolérance thermique.
- Régulation du signal : Circuits imprimés multicouches pour limiter les interférences magnétiques internes.
- Rendement énergétique : Tension d'alimentation DDR4 standardisée pour préserver l'autonomie globale de la batterie.
| Paramètre de performance | Valeur mesurée |
|---|---|
| Capacité nominale | 32Go |
| Norme technique | PC4-2666 (DDR4-21300) |
| Facteur de forme | SO-DIMM 260 broches |
